证券时报记者 叶玲珍

7月11日晚间，星河微电(688689)发布公告，公司拟以3.1亿元投资扩充“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房开发形势”，旨在普及公司集成电路分立器件居品的坐褥加工智商，扩大坐褥界限。

公告显露，本次投资资金开头为公司自有资金或自筹资金，开发周期30个月，缱绻通过购置地皮及开展厂房土建工程，为后续高端集成电路分立器件产业化基地开发奠定基础。

动作国内进步的半导体分立器件制造商，星河微电主要居品包括小信号器件、功率器件、光电器件、电源措置IC登科三代半导体（SiC、GaN）器件，居品无为期骗于汽车电子、破费电子、工业戒指、新动力及5G通讯等领域。

频年来，受益于卑劣需求的强盛启动，我国半导体分立器件行业市集界限不息扩大，业内企业接踵得益红利。2022年至2024年，星河微电贸易收入鉴识为6.76亿元、6.95亿元、9.09亿元，呈逐年飞腾态势。公司暗意，受坐褥所在、开采及东谈主力资源的扬弃，现时产能已难以称心日益增长的市集需求，本次鼓动关联半导体分立器件产能界限膨胀，可促进业务发展，进一步普及盈利水平。

当今，硅材料平台仍然是主流的半导体分立器件工艺平台，并将在改日相配一段技术内占据主要市集，但新的半导体材料，如SiC、GaN工艺平台正在迟缓走向熟练，并在新动力汽车、光伏逆变器等场景的期骗占比权贵普及。

2024年，公司应时优化居品结构，要点普及MOS居品、TVS及稳压管居品的销售占比，推动产销量稳步增长，特殊是在车规级半导体器件产业化形势方面，客户拓展取得权贵冲破。与此同期，进一步鼓动光电器件及IGBT器件扩产，加大对新增开采参加。

为抢捏市集机遇，星河微电不息加速高端居品研发及产业化经过。当今，公司初步具备SiC MOSFET及GaN HEMT芯片遐想智商，何况结束了小批量期骗。

在新产业布局方面，星河微电“车规级半导体器件产业化”形势进入产能爬坡阶段，居品涵盖IGBT、SiC MOSFET等，获取多家车企供应链认证，聚焦新动力汽车的电机戒指、车载充电系统及ADAS领域，称心AEC-Q101等国际车规步调，迟缓替代英飞凌、安森好意思等国外厂商的中高端市集份额。同期，光电耦合器及LED居品已期骗于工业自动化、医疗开采等领域， 并与多家客户协作九游体育app(中国)官方网站，开发高精度传感器及电源措置模块。